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Analizador de impedancia Amprobe LCR55A

Comprobador de inductancia, capacitancia y resistencia

El analizador de componentes electrónicos más avanzado que mide inductacnia, capacitancia, resistencia, transistores, diodos, y diodos de microondas. Ranuras de prueba de conexión y cables de prueba con pinzas de conexión roscadas para la realización de pruebs precisas. Retención de valores en pantalla y de valo máximo. "Ajuste en cero" para resistencia. Indicación de batería baja. Apagado automático.

Funciones
• Medida de resistencia
• Medida de capacidad
• Medida de inductancia
• Medida de transistores y diodos

Información sobre el producto
• Selección de rango manual
• Memoria de medidas integrada (retención de datos y retención de MÍN/MÁX)
• Resistente a los golpes y los impactos gracias a la funda protectora estándar
• Apagado automático

A destacar especialmente
• Pantalla nítida de gran tamaño

Incluye:
• 1 LCR55A

Cables de prueba con pinzas de cocodrilo

• Baterías Intaladas

• Manual de usuario

 

Función

Rango

Exactitud

 

Resistencia

20 

 

± 1,2 % rdg (ajuste cero)

 

200 

± (0,5 % rdg + 3 dgts)

 

2 k  a 2 M 

± (0,5 %  rdg + 1 dgt)

 

20 M 

± (2,0 % rdg + 2 dgts)

Resolución

10 m  en 20  alcance

 

Voltaje de circuito abierto

20  rango: 6,5 V cc

 

 

200  rango: 3.0 V dc

 

 

Todos los demás rangos: 1.2 V dc

 

Continuidad

 

 

Indicación audible

Rango de 2 k : Tono a R < 30 

 

Tiempo de respuesta

800 ms aprox.

 

Prueba de diodo

 

 

Corriente de prueba

1 mA (aproximadamente)

 

Voltaje de prueba

3,0 V CC

± (1,5 %  rdg + 1 dgt)

Monitor

Voltaje de unión hacia adelante

 

Prueba de diodo de microondas

 

 

Corriente de prueba

0.6 mA aproximadamente

 

Voltaje de prueba

7.0 V DC típico

± (3,0 %  rdg + 1 dgt)

Monitor

Voltaje de unión hacia adelante

 

Capacitancia

200 pF a 200 nF

± (1,0 %  rdg + 1 dgt)

 

2 μF a 200 μF

± (2,0 %  rdg + 1 dgt)

 

200 μF < 1000 μF

± (3,0 % rdg + 3 dgts)

 

1000 μF > 2000 μF

± (5,0 % rdg + 5 dgts)

 

Nota: En rangos más bajos, reste 6 puntos residuales

lectura de desvío del resultado

Frecuencia de prueba

200 pF a 2 μF: 1000 Hz

 

 

20 μF a 200 μF: 100 Hz

 

 

2000 μF: 10 Hz

 

Coeficiente de temperatura

< 0. 5  μF:  0. 1%/°C

 

 

> 0. 5  μF:  0. 2%/°C

 

Inductancia

200 mH

± (5,0 % rdg + 30 dgts)*

 

2 a 200 mH

± (3,0 % rdg + 20 dgts)*

 

2 mH a 200 H

± (5,0 % rdg + 20 dgts)*

Frecuencia de prueba

Rangos de 200 μH a 2 H: 1000 Hz

 

 

Rangos de 20 H a 200 H: 100 Hz

 

Coeficiente de temperatura

< 0. 5  H:  0. 2%/°C

 

 

> 0. 5  H:  0. 5%/°C

 

Prueba de transistores

 

 

Gama hFE

De 0 a 1000

 

Corriente base hFE

3 μA aproximadamente

 

hFE Voltaje C - E

3.0 V DC aproximadamente

 

Gama Iceo, corriente de fuga

10 nA a 20 μA